Textbeispiele

• a. Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well "focal plane arrays" having less than 256 elements;
  هـ - أجهزة الدفع المُهوَّاة أو ذات القاعدة المُهوَّاة المقدر معدل طاقتها بأكثر من 2.5 ميغا واط؛
• Uryu T., Yoshinaga J., Yanagisawa Y., 2003. Environmental fate of gallium arsenide: semiconductor disposal.
  يا، 2003، المآل البيئي لأرسينيد الجاليوم: التخلص من أشباه الموصلات.
• III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
  المركبات الثالثة/الخامسة هي منتجات بلورية متعددة أو ثنائية أو أحادية مركبة مكونة من عناصر المجموعتين الثالثة ألف والخامسة ألف من جدول مندليف للتصنيف الدوري (مثال: زرنخيد الغاليوم وزرنخيد الغاليوم - الألمنيوم وفوسفيد الإنديوم).
• III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
  (ب) يزيد النطاق الترددي للحزمة الأساسية فيها عن 500 ميغا هيرتز (نقطة منتصف قدرة الترددات الدنيا فيها تقل عن 1 ميغاهيرتز ونقطة منتصف قدرة الترددات العليا فيها تزيد عن 500 ميغاهيرتز)؛
• He has tortured our scientists, put us to work in the gallium arsenide mines, captured our females for his own demented purposes...
  لقد عذب علماءنا وجعلنا نعمل فى مناجم أرسينيد الجاليوم استولى على نساءنا لأغراضه الدنيئه
• 'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
  تعبير "مواد أجهزة نوافذ الاستشعار" هي كما يلي: الألومنيوم، السيليكون، الغرمانيوم، الزنك، السلفيدات، سلينيد الزنك، أرسينيد الغاليوم، الألماس، فوسفيد الغاليوم، الياقوت الأزرق، والهاليدات الفلزية التالية: مواد أجهزة نوافذ الاستشعار التي يزيد قطرها عن 40 مليمترا لفلوريد الزركنيوم وفلوريد الهفنيوم.
• The pioneers of microelectronics tried many strategies tosupplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductorsand chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on.
  فقد جرب رواد الإلكترونيات الدقيقة العديد من الاستراتيجياتللاستغناء عن أنابيب الفراغ، فتوصلوا إلى مجموعة من أشباه الموصلاتوتصاميم الرقاقات: الجرمانيوم، والسليكون، والألمونيوم، وزرنيخيدالغاليوم الثلاثي، وهلم جرا.
• It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits.
  فهو يستخدم في تصنيع كرات زرنيخيد الغاليوم (الذي يستخدم في الهواتف النقالة وفي أشعة الليزر وما إلى ذلك)، كما يستعمل كعامل إشابة في رقائق السليكون، ولتصنيع غاز الزرنيخين (H3As)، الذي يستخدم لعمل الشعريات الشبيكة الفائقة، والدارات المتكاملة فائقة الأداء.