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LOCOS-Prozess ist die technische Bezeichnung für die lokale Oxidation von Silizium.
العملية LOCOS هي التسمية الفنية للأكسدة الموضعية للسيليكون.
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Die lokale Oxidation von Silizium (LOCOS-Prozess) ist ein wichtiges Verfahren in der Herstellung von Halbleitern.
الأكسدة المحلية للسيليكون (عملية LOCOS) هي طريقة هامة في صناعة الشبه موصلات.
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Der LOCOS-Prozess ermöglicht die selektive Oxidation von Siliziumoberflächen.
تتيح عملية LOCOS أكسدة محددة لسطوح السيليكون.
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Die lokale Oxidation von Silizium, auch als LOCOS-Prozess bekannt, läuft bei Temperaturen von etwa 800 bis 1000 Grad Celsius ab.
تتم الأكسدة المحلية للسيليكون ، المعروفة أيضًا بعملية LOCOS ، عند درجات حرارة تتراوح بين 800 و1000 درجة مئوية.
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LOCOS-Prozess ist ein essenzieller Schritt zur lokalen Oxidation in der Mikroelektronik.
عملية LOCOS هي خطوة أساسية للأكسدة المحلية في الميكروإلكترونيات.