"Stored programme controlled" equipment designed for epitaxial growth, as follows:
أ - المعدات الـ“محكومة ببرنامج مخزن” والمصممة للنمو الفوقي، على النحو التالي:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
جيم - 1 المواد الفوقية غير المتجانسة المؤلفة من “ركازة” فوقها عدة طبقات متراصة نامية فوق بعضها البعض من أي المواد التالية:
b. Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:
ب - قدرة خرج يزيد متوسطها أو موجتها المتصلة على 1 واط؛
b. Single crystals (including epitaxial wafers) of any of the following:
(ب) قم بقياس درجات دقة المحور الخطي وفقا للمعيار الدولي 230/2 (1997) للمنظمة الدولية لتوحيد المقاييس ISO،
crystals/epitaxial Wafers Conventional Section: p. 251, 6.C.2.b.2
أ - مصممة لـ “استحداث” أجهزة أشباه الموصلات أو الدوائر المتكاملة؛
crystals & epitaxial wafers Conventional Section: p. 251, 6.C.2.b.1
قواعد التصميم أو قواعد التحقق من الدوائر؛
equipment, epitaxial growth Conventional Section: p. 200, 3.B.1.a.2
ألف - 4 الحواسيب، الآتي بيانها، والمعدات المصممة خصيصا لها، و“المجموعات الإلكترونية” والمكونات المصممة خصيصا لها:
Epitaxial growth equipment Conventional Section: p. 199, 3.B.1.a
أ - صمامات المضاعفات الضوئية التي يتوافر فيها كل ما يلي:
hetero-epitaxial grown-multi-layer Conventional Section: p. 203, 3.C.1.d
أ - طول موجي للخرج لا يتجاوز 150 نانومترا ويتوافر فيه أي مما يلي:
Hetero-epitaxial grown multi-layer substrates Conventional Section: p. 203, 3.C.1
قدرة خرج يزيد متوسطها أو موجتها المتصلة على 1 واط؛
