Die Raumladungszone ist eine Schlüsselkomponente in der Halbleitertechnologie.

Elektronen und Löcher sammeln sich in der Raumladungszone an.

Die Eigenschaften der Raumladungszone beeinflussen direkt die Performance von Transistoren.

Die Raumladungszone spielt eine wichtige Rolle im Betrieb von Dioden.

Ungleichgewichte in der Raumladungszone können zu Defekten in Halbleitermaterialien führen.